В молодежной лаборатории Микро- и Наноэлектроники ЛЭТИ разработали теоретический подход для исследования сверхрешеток на основе A3B5 полупроводниковых соединений, предназначенных для создания приборных структур новых компактных источников ТГц излучения, работающих при комнатной температуре.

Контейнер виджетаСкопировать код Вставьте этот код в элемент body в том месте, где хотите показывать виджет:

Полупроводниковыми сверхрешетками (CР) называют полупроводниковые гетероструктуры с периодом, превышающим постоянную кристаллической решетки. Несмотря на то, что за последние десятилетия было разработано… Читать дальше

Источник: Новости пользователей сайта